一种雾度可调的P型导电薄膜的制备方法-山东大学技术转移中心

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一种雾度可调的P型导电薄膜的制备方法

专利信息

专利权人：山东大学

第一发明人：孙珲

专利号：ZL202210686807.X

授权日：2024-5-7

专利类型：发明

国别：中国

专利简介

本发明涉及一种雾度可调的P型导电薄膜的制备方法,属于透明导电膜技术领域。雾度可调的P型导电薄膜的制备方法,包括S1:通过磁控溅射法,可在玻璃、蓝宝石等衬底表面生长出Cu3N前驱体薄膜,得到Cu3N薄膜;S2:将步骤S1得到的Cu3N薄膜,利用单质碘颗粒将Cu3N薄膜碘化,制备所需雾度的P型导电薄膜。有益效果:控制碘颗粒的尺寸大小及碘颗粒在Cu3N前驱体表面的排布,可以达到一定范围内薄膜表面雾度有效调控的目的,其中最低的CuI薄膜雾度值仅为0.7%,并且制备的薄膜兼具高透过率和高导电性⊙

一种雾度可调的P型导电薄膜的制备方法

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专利权人	山东大学	第一发明人	孙珲
专利号	ZL202210686807.X	授权日	2024-5-7
专利类型	发明	国别	中国
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开放许可截止日期		单次许可期限
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