一种基于切趾光栅的高功率硅基半导体激光器-山东大学技术转移中心

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一种基于切趾光栅的高功率硅基半导体激光器

专利信息

专利权人：山东大学

第一发明人：高凤

专利号：ZL202210486992.8

授权日：2024-5-28

专利类型：发明

国别：中国

专利简介

本发明涉及一种基于切趾光栅的高功率硅基半导体激光器,包括:衬底、埋入氧化层、波导层、辅助键合层、间隔层、包层、量子阱有源区、顶包覆层、欧姆接触层、P型电极、N型电极;波导层中沿谐振腔的腔长方向刻蚀有切趾光栅;本发明通过切趾光栅的设计,激光器腔两端光子密度具有不对称性,输出光功率及利用效率明显提升,在保证稳定单模输出的同时,有效解决λ/4相移激光器出光功率/效率低的问题。与λ/4相移激光器相比,本发明基于切趾光栅的谐振腔具有更加平缓的腔内光场分布,从而解决λ/4相移激光器的空间烧孔的影响,得到更好的激光器性能。

一种基于切趾光栅的高功率硅基半导体激光器

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专利权人	山东大学	第一发明人	高凤
专利号	ZL202210486992.8	授权日	2024-5-28
专利类型	发明	国别	中国
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开放许可截止日期		单次许可期限
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