一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法-山东大学技术转移中心

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一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法

专利信息

专利权人：山东大学

第一发明人：崔鹏

专利号：ZL202210196597.6

授权日：2024-5-28

专利类型：发明

国别：中国

专利简介

本发明涉及一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS HEMT及其制备方法,该结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层、GaN帽层和ScAlN介质层。在GaN帽层上高温生长ScAlN介质层,高温生长的ScAlN与GaN帽层之间的界面陷阱态较少,界面电荷散射较弱,而且ScAlN可以有效钝化材料表面,减少表面陷阱态,从而提高器件的的最大饱和电流I

一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法

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专利简介

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专利权人	山东大学	第一发明人	崔鹏
专利号	ZL202210196597.6	授权日	2024-5-28
专利类型	发明	国别	中国
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开放许可截止日期		单次许可期限
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