一种基于蛇形多孔硅隔热层的MEMS真空计及制备方法-山东大学技术转移中心

一种基于蛇形多孔硅隔热层的MEMS真空计及制备方法

专利信息

专利权人：山东大学

第一发明人：陶继方

专利号：ZL202210396176.8

授权日：2024-5-28

专利类型：发明

国别：中国

专利简介

本发明公开了一种基于蛇形多孔硅隔热层的MEMS真空计及制备方法,该真空计包括真空计主体和键合于其上方的硅帽,真空计主体包括由下到上依次设置的硅衬底、掩膜层一、绝缘介质层一和铂金电极;硅衬底上通过电化学刻蚀方法形成蛇形多孔硅隔热层,蛇形多孔硅隔热层上方依次沉积有绝缘介质层一和铂金电极,相邻的蛇形多孔硅隔热层之间的硅衬底上依次沉积有掩膜层二和绝缘介质层一;硅帽位于蛇形多孔硅隔热层的上方,并与真空计主体形成检测腔体,硅帽具有空气微流道。本发明所公开的真空计可以解决薄膜型真空计在强烈的气体对流中易造成薄膜损坏的问题,能够增强真空计的鲁棒性,提高在实际工作环境中的稳定性。

一种基于蛇形多孔硅隔热层的MEMS真空计及制备方法

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专利权人	山东大学	第一发明人	陶继方
专利号	ZL202210396176.8	授权日	2024-5-28
专利类型	发明	国别	中国
所属领域		开放许可开始日期
开放许可截止日期		单次许可期限
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