一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法

专利信息

专利权人：山东大学

第一发明人：崔鹏

专利号：ZL202311157957.2

授权日：2024-4-5

专利类型：发明

国别：中国

专利简介

专利权人 山东大学 第一发明人 崔鹏
专利号 ZL202311157957.2 授权日 2024-4-5
专利类型 发明 国别 中国
所属领域 开放许可开始日期
开放许可截止日期 单次许可期限
许可费支付方式
本发明涉及一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法,属于微电子领域,四部分电容为并联状态,故总栅电容C

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