本发明属于二维材料制备领域,具体涉及一种易剥离近自由态石墨烯及其制备方法和应用。本发明首先通过控制工艺选择性制备具有不同指数面的金属衬底,并以此为衬底经过化学气相沉积生长石墨烯薄膜,生长完成后进行后处理,通过调控后处理的反应温度和时间,在石墨烯与金属衬底界面处发生反应,于界面处形成钝化层,从而直接削弱石墨烯与金属衬底之间的强相互作用,实现石墨烯在金属衬底上的解耦,得到易剥离近自由态石墨烯。本发明通过设计并调整生长工艺和后处理过程,在不引入其他杂质的前提下,显著降低了石墨烯与衬底之间的相互作用,直接制备得到易剥离近自由态石墨烯,剥离转移后的石墨烯能够广泛应用在半导体电子器件及能源转化领域。