本发明公开了一种单模单晶光纤能量场约束微结构制备方法,包括以下步骤布置飞秒激光器和烧蚀探头 打开飞秒激光器,使得飞秒激光器发出的激光经烧蚀探头后,形成的光斑位于待加工样品光纤的内部,且激光传播方向与待加工样品光纤垂直,光斑中心与待加工样品光纤的圆心之间存在设定距离 在高NA物镜下,利用光斑在待加工样品光纤的表面诱导改性,形成损伤轨迹,未被激光扫描的纤芯区域被折射率降低的改性晶体材料区包围,构成包层,从而得到Ⅱ类应力诱导形成的凹陷包层波导。本发明采用上述单模单晶光纤能量场约束微结构制备方法,制备出高光学质量的单模单晶光纤,具有结构均匀、稳定性高、散热良好、无污染、无需额外引入其他材料的包层结构等优点。