专利权人：山东大学
第一发明人：钱凯
专利号：ZL202110512729.7
授权日：2022-09-16
专利类型：发明
国别：
所属领域：电子信息、高端装备
开放许可开始日期：2024-01-16
开放许可截止日期：2026-04-30
单次许可期限：三年
许可费支付方式：一次性支付100000
本发明属于导体器件微纳加工技术领域,尤其涉及一种透明的双层结构忆阻器及其制备方法。其中,双层结构忆阻器由下至上依次设置的衬底、底电极和顶电极构成,所述顶电极和底电极用于连接分别正电压和负电压,以实现忆阻器的易失性和自限流性。
