基于Fano共振耦合谐振腔太赫兹波导传感器件及其制备方法

专利信息

专利权人:山东大学

第一发明人:时彦朋

专利号:ZL202110523291.2

授权日:2022-04-12

专利类型:发明

国别:中国

所属领域:电子信息、新能源新材料

开放许可开始日期:2024-01-15

开放许可截止日期:2026-04-30

单次许可期限:三年

许可费支付方式:一次性支付50000

专利简介

专利权人 山东大学 第一发明人 时彦朋
专利号 ZL202110523291.2 授权日 2022-04-12
专利类型 发明 国别 中国
所属领域 电子信息、新能源新材料 开放许可开始日期 2024-01-15
开放许可截止日期 2026-04-30 单次许可期限 三年
许可费支付方式 一次性支付50000

本发明属于太赫兹亚波长结构传感技术领域,提供了一种基于Fano共振耦合谐振腔太赫兹波导传感器件及其制备方法。其中,基于Fano共振耦合谐振腔太赫兹波导传感器件包括衬底和波导传感单元,波导传感单元设置在衬底上,波导传感单元包括波导、矩形谐振腔及金属墙,所述矩形谐振腔以垂直于波导的方向直接连接在波导一侧,所述金属墙设置在矩形谐振腔一侧设定距离处的波导介质中,所述金属墙的中心设有孔径;所述矩形谐振腔的方向与电场偏振方向保持平行,波导的输入端用于接收太赫兹波,以使得太赫兹波在传输过程中满足共振条件时,产生Fano共振。其采用金属 介质 金属波导耦合谐振腔结构实现了尖锐的Fano共振、高Q因子、高灵敏度的折射率传感应用。